连接结构和形成连接结构的方法
实质审查的生效
摘要
一种连接结构包含：第一电子组件、缓冲层、异向性导电胶膜、和第二电子组件。第一电子组件包含第一基板和在第一基板上的第一导电元件。缓冲层设置在第一导电元件的上表面上。异向性导电胶膜包含绝缘胶层和在绝缘胶层中的第一导电粒子，绝缘胶层在缓冲层上。第二电子组件设置在第一电子组件上方并在异向性导电胶膜上且包含第二基板和在第二基板之下的第二导电元件，第一导电粒子电性连接第一导电元件和第二导电元件。缓冲层的热膨胀系数介于第一导电元件的热膨胀系数和绝缘胶层的热膨胀系数之间。在此亦提供形成连接结构的方法。
基本信息
专利标题 ：
连接结构和形成连接结构的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114374101A
申请号 ：
CN202210031345.8
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2022-01-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈忠君姚念
申请人 ：
业成科技（成都）有限公司;业成光电（深圳）有限公司;业成光电（无锡）有限公司;英特盛科技股份有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市高新区西区合作路689号
代理机构 ：
成都希盛知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨冬梅
优先权 ：
CN202210031345.8
主分类号 ：
H01R4/04
IPC分类号 ：
H01R4/04 H01R12/52 H01R43/00
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01R 4/04
申请日 : 20220112
申请日 : 20220112
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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