一种抑制SiC MOSFET超调的变电阻驱动电路
授权
摘要
本发明是关于一种抑制SiC MOSFET超调的变电阻驱动电路，包括SiC MOSFET，其特征在于，还包括正、负向供电电源之间的图腾柱结构电路、开通驱动电路、关断驱动电路和电压反馈信号调理电路，所述图腾柱结构电路的输出端分别连接开通、关断驱动电路的输入端，开通、关断驱动电路的输出端以及电压反馈信号调理电路的输入端与SiC MOSFET的栅极连接。本发明能够在充分保持SiC MOSFET高开关速度以及低损耗优势的情况下，对开关过程出现的电流电压超调进行有效的抑制。
基本信息
专利标题 ：
一种抑制SiC MOSFET超调的变电阻驱动电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114070282A
申请号 ：
CN202210032997.3
公开（公告）日 ：
2022-02-18
申请日 ：
2022-01-12
授权号 ：
CN114070282B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
秦海鸿彭江锦石伟杰胡昊翔韩翔卜飞飞陈文明戴卫力朱梓悦谢利标胡黎明
申请人 ：
南京航空航天大学;南京开关厂有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市秦淮区御道街29号
代理机构 ：
江苏圣典律师事务所
代理人 ：
徐晓鹭
优先权 ：
CN202210032997.3
主分类号 ：
H03K17/082
IPC分类号 ：
H03K17/082 H03K17/042 H03K17/687
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2022-03-08 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03K 17/082
申请日 : 20220112
申请日 : 20220112
2022-02-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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