一种基于混合调制偏置电流产生电路的NMOS LDO
公开
摘要
本发明属于模拟电路电源管理技术领域，具体涉及一种基于混合偏置电流产生电路的NMOS LDO。本发明提出了用于NMOS LDO的混合调制偏置电流产生电路和低功耗振荡器电路。混合调制偏置电流产生电路可以使LDO的偏置电流在负载瞬态变化时实现动态调节，且根据负载电流大小适应性变化，从而在保证低静态功耗的前提下提升瞬态响应，相较于其他方案，该电路即使在轻载时也可以更快地调节静态电流，从而提升误差放大器的环路带宽和压摆率。低功耗振荡器电路可以输出频率与负载电流成正比的时钟信号，用于为NMOS LDO电路中必需的电荷泵电路充电，相较普通振荡器电路功耗更小。
基本信息
专利标题 ：
一种基于混合调制偏置电流产生电路的NMOS LDO
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114610107A
申请号 ：
CN202210034569.4
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-01-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张国俊张轩溥安晟张文明
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210034569.4
主分类号 ：
G05F3/26
IPC分类号 ：
G05F3/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G05
控制；调节
G05F
调节电变量或磁变量的系统
G05F3/00
应用具有自调节性能的非控制元件或非控制元件的组合来调节电变量的非回授系统
G05F3/02
调节电压或电流的
G05F3/08
其中变量是直流的
G05F3/10
利用具有非线性特性的非控制器件
G05F3/16
非控制器件是半导体器件
G05F3/20
应用了二极管与三极管的组合
G05F3/26
电流反射镜
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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