本发明属于电磁超表面技术领域，具体为一种基于超表面的近场表面波高效率远场定向辐射耦合器。本发明耦合器由电磁几何相位超表面和表面波本征区域拼接组成；超表面区域由“H”型金属微结构‑介质薄膜‑金属薄膜的三明治结构单元沿x方向和Y方向延拓组成；本征结构为介质薄膜‑金属薄膜组成的双层结构。该器件的工作带宽为11‑14GHz，忽略损耗情况下理论极限工作效率为近100％。该定向辐射耦合器件可以推广到其他工作频段。本发明核心设计理念是利用几何相位来实现横磁表面波‑圆偏振电磁波辐射调控，本发明的表面波‑传输波耦合器与传统耦合器相比，解决了传统耦合器存在多模式的问题，也突破了传统耦合器只能实现TM偏振远场传输波的问题。