一种降低死区损耗的GaN驱动器
实质审查的生效
摘要
本发明属于宽禁带半导体功率器件驱动技术领域，具体为一种降低死区损耗的GaN驱动器。该驱动器利用高K介质功率器件能够根据不同控制信号切换至相应工作模式，使其适用各种不同电压等级的驱动中这一特点，基于高K介质功率器件有针对性的设计出对应的电路结构，来实现的GaN驱动优化。在两个死区时间内，本发明中的GaN管栅极电压始终钳位在一个固定电压，且该固定电压低于GaN功率管正向导通的阈值电压，即使低侧GaN管的漏极电压被抬高也不会使GaN功率管正向导通，从而显著减小死区时间内源漏之间的压降，无需通过减少死区时间即可实现降压DC‑DC应用中的死区损耗降低。
基本信息
专利标题 ：
一种降低死区损耗的GaN驱动器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114421740A
申请号 ：
CN202210048020.0
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-01-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李俊宏刘思雨
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
代理机构 ：
电子科技大学专利中心
代理人 ：
闫树平
优先权 ：
CN202210048020.0
主分类号 ：
H02M1/08
IPC分类号 ：
H02M1/08
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H02M 1/08
申请日 : 20220117
申请日 : 20220117
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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