一种高集成度片上超宽带差分正交信号生成网络
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种高集成度片上超宽带差分正交信号生成网络，包括完全相同的三个片上混合型差分正交耦合器，即片上混合型差分正交耦合器A、片上混合型差分正交耦合器B和片上混合型差分正交耦合器C；所述片上混合型差分正交耦合器B和片上混合型差分正交耦合器C均由片上混合型差分正交耦合器A平移得到，并且所述片上混合型差分正交耦合器B与片上混合型差分正交耦合器C呈轴对称分布。本发明的高集成度片上超宽带差分正交信号生成网络中采用级联混合型差分正交耦合器的方式，使用相对较小的芯片面积实现适用于超宽带差分信号处理电路的正交耦合器，集成度高，成本低，具有良好的应用前景。
基本信息
专利标题 ：
一种高集成度片上超宽带差分正交信号生成网络
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114421112A
申请号 ：
CN202210059307.3
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-01-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
齐全文刘自成李潇然万嘉月韩放朱宇哲费泽松陈志铭
申请人 ：
北京理工大学重庆微电子中心;北京理工大学
申请人地址 ：
重庆市沙坪坝区西永微电园研发楼3期1号楼2单元
代理机构 ：
成都九鼎天元知识产权代理有限公司
代理人 ：
张杰
优先权 ：
CN202210059307.3
主分类号 ：
H01P5/16
IPC分类号 ：
H01P5/16 H04B1/40
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01P 5/16
申请日 : 20220119
申请日 : 20220119
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
