本发明公开了MXenes拓扑结构的调控方法、MXenes凝胶膜电极和储能器件。该调控方法包括：(1)将MXenes纳米片分散液与刻蚀剂混合，刻蚀剂将MXenes纳米片原先刚直平整的拓扑结构转变成弯曲褶皱的拓扑结构，得到高度弯曲褶皱的MXenes纳米片的分散液；(2)对高度弯曲褶皱的MXenes纳米片的分散液进行纯化，得到纯化的弯曲褶皱的MXenes纳米片；(3)将纯化的弯曲褶皱的MXenes纳米片进行组装，得到MXenes凝胶膜电极。该方法制得的MXenes凝胶膜电极兼具高密度和开放孔结构的特点，其层间结构既能有效容纳溶剂化Al³⁺、Mg²⁺和Ca²⁺等离子，又能保证对溶剂化Al³⁺、Mg²⁺和Ca²⁺等离子进行致密的存储。将该经过拓扑结构调控的MXenes凝胶膜电极用作储能器件的负极材料时，表现出了超高的体积比容量和优异的倍率性能。