一种深紫外波段的硼酸铷钡双折射晶体及制备方法和用途
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种深紫外波段的硼酸铷钡双折射晶体及制备方法和用途，该晶体的化学式为Rb5Ba2B21O36，分子量为1505.02，属三斜晶系，空间群为P，晶胞参数为a=6.7686(7)Å，b=11.0035(12)Å，c=11.2465(11)Å，α=99.443(4)°，β=90.790(4)°，γ=99.855(4)°，Z=1，V=813.32(15)Å3，其结构中含有孤立的线性[BO2]‑基团。其透光范围为188‑3500nm，双折射率为0.06(3500nm)‑0.1(188 nm)之间。晶体易于生长、易于切割，易于研磨、易于抛光和易于保存；采用高温熔液法生长晶体。所获得的晶体在空气中稳定。能够用于制作各种用途的偏光棱镜，相位延迟器件和电光调制器件，例如，格兰棱镜、偏振分束器、补偿器、光隔离器环形器和光学调制器等，在光学和通讯领域有重要应用。
基本信息
专利标题 ：
一种深紫外波段的硼酸铷钡双折射晶体及制备方法和用途
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114411253A
申请号 ：
CN202210071286.7
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-01-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
潘世烈杨云张艳慧
申请人 ：
中国科学院新疆理化技术研究所
申请人地址 ：
新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市北京南路40号附1号
代理机构 ：
乌鲁木齐中科新兴专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
张莉
优先权 ：
CN202210071286.7
主分类号 ：
C30B29/22
IPC分类号 ：
C30B29/22 C30B9/04 C30B28/04 G02B5/04
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/16
氧化物
C30B29/22
复合氧化物
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/22
申请日 : 20220121
申请日 : 20220121
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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