EMMC损耗度检测方法、装置、电子设备及存储介质
实质审查的生效
摘要
本申请公开了EMMC损耗度检测方法、装置、电子设备及存储介质，所述EMMC损耗度检测方法包括：当检测到主EMMC满足预设检测条件时，在所述主EMMC对应的存储空间中选取空闲存储区域；通过将副EMMC中的损耗度检测数据存储至所述空闲存储区域，检测所述主EMMC对应的写入性能参数；通过所述副EMMC读取已存储至所述空闲存储区域的损耗度检测数据，检测所述主EMMC的读取性能参数；依据所述写入性能参数和所述读取性能参数，确定所述主EMMC的损耗度。本申请解决了现有技术中检测EMMC损耗度准确率低的技术问题。
基本信息
专利标题 ：
EMMC损耗度检测方法、装置、电子设备及存储介质
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420190A
申请号 ：
CN202210073136.X
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-01-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
洪伟忠姚文兴陈敏黄健林晓宁徐正新王德闯卢铁军
申请人 ：
深圳创维-RGB电子有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区深南大道创维大厦A座13-16楼
代理机构 ：
深圳市世纪恒程知识产权代理事务所
代理人 ：
高川
优先权 ：
CN202210073136.X
主分类号 ：
G11C29/08
IPC分类号 ：
G11C29/08 G06F11/34
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C29/00
存储器正确运行的校验；备用或离线操作期间测试存储器
G11C29/04
损坏存储元件的检测或定位
G11C29/08
功能测试，例如，在刷新、通电自检或分布型测试期间的测试
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 29/08
申请日 : 20220121
申请日 : 20220121
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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