限域绝缘包覆软磁铁硅铝工艺及其产品
实质审查的生效
摘要
本发明公开限域绝缘包覆软磁铁硅铝工艺及其产品。本发明结合了氧储存材料易于失去O原子、金属Al及O原子的快速热扩散，及两者之间的一种限域固态反应，获得了一种全新的FeSiAl/Al2O3‑x/氧储存材料(OSMs)复合磁粉芯，这种限域包覆技术是在FeSiAl基体原位制备包覆层，除了能实现均匀包覆外，更重要的，限域包覆技术制备的包覆层与FeSiAl基体之间存在半共格结构，与基体结合牢固，适配性好，在压制成型过程中不易脱落。
基本信息
专利标题 ：
限域绝缘包覆软磁铁硅铝工艺及其产品
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114373621A
申请号 ：
CN202210079110.6
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2022-01-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张雪峰李红霞赵荣志刘先国李忠
申请人 ：
杭州电子科技大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
代理机构 ：
杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
朱亚冠
优先权 ：
CN202210079110.6
主分类号 ：
H01F41/02
IPC分类号 ：
H01F41/02 H01F27/24 H01F27/34 H01F1/147 H01F1/24
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01F
磁体；电感；变压器；磁性材料的选择
H01F41/00
专用于制造或装配磁体、电感器或变压器的设备或方法；专用于制造磁性材料的设备或方法
H01F41/02
用于制造磁芯、线圈或磁体的
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01F 41/02
申请日 : 20220124
申请日 : 20220124
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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