一种用于IC芯片的ETFE离型膜的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种用于IC芯片的ETFE离型膜的制备方法,属于离型膜生产技术领域,包括以下制备步骤:步骤一、选择三种份配比方案,配比:ETFE、紫外线屏蔽剂、抗氧剂、抗静电剂和交联剂,然后分别放入多层共挤流延设备上的三个加料斗;步骤二、通过多层共挤流延设备对三份原料进行熔融。本发明,提高离型膜的使用性能,增加离型膜的生产效率,同时能够利用冷却筒对离型膜的一面形成若干个空腔纹路,当使用离型膜贴合物体光滑表面时,揭开离型膜瞬时产生的负压能够提高离型膜的贴合效果,功能性更强,满足市场的使用需求,能够方便对冷却筒进行更换维修,或者根据需求对冷却筒上的纹路样式进行更换。
基本信息
专利标题 :
一种用于IC芯片的ETFE离型膜的制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114434708A
申请号 :
CN202210097431.9
公开(公告)日 :
2022-05-06
申请日 :
2022-01-27
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
王果连宋厚春董冲
申请人 :
河南源宏高分子新材料有限公司
申请人地址 :
河南省新乡市长垣市防腐蚀及新材料产业园区留晖大道北段2号
代理机构 :
北京智行阳光知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
刘玫潭
优先权 :
CN202210097431.9
主分类号 :
B29C41/04
IPC分类号 :
B29C41/04 B29C41/34 B29C41/36 B29C41/46 C09J7/40 B29B13/02 B29L7/00
IPC结构图谱
B
B部——作业;运输
B29
塑料的加工;一般处于塑性状态物质的加工
B29C
塑料的成型连接;塑性状态材或料的成型,不包含在其他类目中的;已成型产品的后处理,例如修整
B29C41/00
涂覆模型、型芯或其他基底成型,即用沉积材料和剥离成型制品的方法;所用的设备
B29C41/02
用于制造定长的制品,即不连续的制品
B29C41/04
旋转或离心浇注,即靠转动模型而涂覆模型的内部
法律状态
2022-05-24 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : B29C 41/04
申请日 : 20220127
申请日 : 20220127
2022-05-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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