一种磨损率低的单晶硅片清洗脱胶机构
实质审查的生效
摘要

本发明涉及单晶硅片清洗技术领域,具体的说是一种磨损率低的单晶硅片清洗脱胶机构,包括清洗池,所述清洗池上安装有用于排放清洗剂的排水管,所述调节机构上安装有对放置机构进行抖动的摇摆机构,所述清洗池上安装有与摇摆机构抵触的驱动机构;将装有单晶硅片的收纳盒放置到放置机构的内部,将配重结构滑动到单晶硅片的一侧,实现了调节机构类似跷跷板倾斜,此时单晶硅片浸入到清洗池的内部,实现了对单晶硅片的清洗,清洗完成后可以将配重的结构移动另一个放置机构一侧,实现了清洗池内部的放置机构移出清洗池,将未清洗的单晶硅片放置到配重结构一侧的放置机构上,那么清洗过的单晶硅片得到晾晒的时间,避免了清洗液滴落污染台面。

基本信息
专利标题 :
一种磨损率低的单晶硅片清洗脱胶机构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114517334A
申请号 :
CN202210099423.8
公开(公告)日 :
2022-05-20
申请日 :
2022-01-26
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
冯震坤章祥静
申请人 :
无锡荣能半导体材料有限公司
申请人地址 :
江苏省无锡市惠山区玉祁工业集中区
代理机构 :
无锡睿升知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
袁诚
优先权 :
CN202210099423.8
主分类号 :
C30B33/00
IPC分类号 :
C30B33/00  C30B29/06  B08B3/04  B08B13/00  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B33/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
法律状态
2022-06-07 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 33/00
申请日 : 20220126
2022-05-20 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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