一种大幅度增加固态硬盘使用寿命的存储方案
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种大幅度增加固态硬盘使用寿命的存储方案，包括两个MRAM芯片、一个DDR芯片、NAND芯片阵列和控制器，两个MRAM芯片与DDR芯片共用数据总线，组成数据混合缓存器，所述MRAM芯片存储空间划分为获取缓存空间和修订缓存空间。本发明采用数据非易失的MRAM作为缓存器，MRAM具有存储速度快，无需擦除可直接读写，使用寿命接近无限等特点，可以大幅度的提高固态硬盘的使用寿命，可以大幅度提高固态硬盘的随机写性能。
基本信息
专利标题 ：
一种大幅度增加固态硬盘使用寿命的存储方案
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114428590A
申请号 ：
CN202210099670.8
公开（公告）日 ：
2022-05-03
申请日 ：
2022-01-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨炳生
申请人 ：
新拓尼克科技（成都）有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市自由贸易试验区成都高新区天府四街199号2栋12层6号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210099670.8
主分类号 ：
G06F3/06
IPC分类号 ：
G06F3/06
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F3/048
基于图形用户界面的交互技术
G06F3/06
来自记录载体的数字输入，或者到记录载体上去的数字输出
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 3/06
申请日 : 20220127
申请日 : 20220127
2022-05-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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