Flash控制方法及Flash控制器
公开
摘要
本公开提供一种Flash控制方法及Flash控制器，所述方法包括：从接收到的第一控制指令中获取第一总线地址，第一控制指令为读指令；根据预设的地址映射关系，确定第一总线地址对应的Flash存储器地址；根据Flash存储器地址从Flash存储器中相应位置获取数据。本公开实施例利用第一总线地址与Flash存储器地址之间的映射关系，确定Flash存储器地址，可以直接从Flash存储器相应位置读取数据，避开寄存器的操作，从而提升从Flash存储器中读取数据的效率。
基本信息
专利标题 ：
Flash控制方法及Flash控制器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566200A
申请号 ：
CN202210116676.1
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-02-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
周士杰刘伟
申请人 ：
成都宏熠电子科技有限公司
申请人地址 ：
四川省中国(四川)自由贸易试验区成都高新区天府大道中段1366号2栋E6座10层16-18号
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
彭瑞欣
优先权 ：
CN202210116676.1
主分类号 ：
G11C16/04
IPC分类号 ：
G11C16/04 G11C16/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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