一种提高NVM擦写效率的方法
实质审查的生效
摘要
本发明提出一种提高NVM擦写效率的方法，该方法除使用一般的缓存机制缓存待写入数据之外，还加入了LRU算法用于优化CACHE中的页面置换方法，使得频繁更新的数据能够一直存储在CACHE中，加快写的效率，同时频繁更新的数据在修改时也不用每次都从NVM中读取，进一步加快写的效率。本发明主要解决NVM存储的寿命问题以及更新数据的效率问题，通过间接减少NVM的擦写次数来提高NVM的寿命，同时通过减少NVM的读的次数提高整体写性能与功耗。
基本信息
专利标题 ：
一种提高NVM擦写效率的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114510198A
申请号 ：
CN202210140090.9
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2022-02-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
何迪
申请人 ：
北京中电华大电子设计有限责任公司
申请人地址 ：
北京市昌平区北七家镇未来科技城南区中国电子网络安全和信息化产业基地C栋
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210140090.9
主分类号 ：
G06F3/06
IPC分类号 ：
G06F3/06
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F3/048
基于图形用户界面的交互技术
G06F3/06
来自记录载体的数字输入，或者到记录载体上去的数字输出
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 3/06
申请日 : 20220216
申请日 : 20220216
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
