中高压陶瓷电容介质材料及其用途
公开
摘要
本发明公开了一种中高压陶瓷电容介质材料及其用途。介质材料包括主体材料、第一掺杂辅料和第二掺杂辅料；主体材料为BaTiO3，含量94～99.2mol％；第一掺杂辅料选自Dy2O3、Y2O3、Ho2O3和Sm2O3中的任意一种或几种，含量0.1～2mol％；第二掺杂辅料选自V2O5、CaO、Al2O3、ZrO2和SiO2中的任意一种或几种，含量0.7～4mol％；第一掺杂辅料和第二掺杂辅料的总含量为0.8～6mol％。本发明还公开了由上述中高压陶瓷电容介质材料制备的多层陶瓷电容器，该陶瓷电容器，介质材料与镍电极镍等贱金属内电极匹配良好，具有较高的耐击穿电压和高的温度稳定性，满足EIA的X7S要求。
基本信息
专利标题 ：
中高压陶瓷电容介质材料及其用途
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114605144A
申请号 ：
CN202210147004.7
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-02-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王朋飞张蕾胡治平于淑会孙蓉
申请人 ：
深圳先进电子材料国际创新研究院
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区福永街道龙王庙工业区
代理机构 ：
北京市诚辉律师事务所
代理人 ：
范盈
优先权 ：
CN202210147004.7
主分类号 ：
C04B35/468
IPC分类号 ：
C04B35/468 C04B35/64 H01G4/12 H01G4/30 C04B41/88
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C04
水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料
C04B
石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷；耐火材料；天然石的处理
C04B35/00
以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末
C04B35/01
以氧化物为基料的
C04B35/46
以氧化钛或钛酸盐为基料的
C04B35/462
以钛酸盐为基料的
C04B35/465
以碱土金属钛酸盐为基料的
C04B35/468
以钛酸钡为基料的
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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