一种快速低温制备致密TiC陶瓷的方法
公开
摘要
本发明公开了一种快速低温制备致密TiC陶瓷的方法，本发明的快速低温制备TiC陶瓷的方法是：采用化学沉淀法在TiC基体颗粒表面引入氧化铝纳米颗粒，通过SPS技术一步和两步快速烧结技术，可在1500℃和1400℃制备出几乎完全致密的TiC陶瓷，相对于同样致密度的纯TiC陶瓷，其断裂韧性也得到了显著提高。
基本信息
专利标题 ：
一种快速低温制备致密TiC陶瓷的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114591084A
申请号 ：
CN202210148151.6
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-02-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
程利霞刘敏王挺李雅洁梅海娟杜娟
申请人 ：
惠州学院
申请人地址 ：
广东省惠州市惠城区河南岸冷水坑
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
邓聪权
优先权 ：
CN202210148151.6
主分类号 ：
C04B35/56
IPC分类号 ：
C04B35/56 C04B35/622 C04B35/63 C04B35/64 C04B35/645
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C04
水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料
C04B
石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷；耐火材料；天然石的处理
C04B35/00
以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末
C04B35/515
以非氧化物为基料的
C04B35/56
以碳化物为基料的
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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