高功率脉冲磁控溅射负载打弧的快速响应电源保护电路
实质审查的生效
摘要

本发明公开了一种高功率脉冲磁控溅射负载打弧的快速响应电源保护电路,包括监测采样反馈电路和电源驱动控制单元,监测采样反馈电路包括比较器、预置信号生成模块和电流隔离采样模块,预置信号生成模块产生负载打弧保护的预置信号;电流隔离采样模块用于采集等离子体放电回路中的脉冲电流并转换为脉冲电压作为采样信号;比较器将预置信号与采样信号进行比较,生成反馈信号反馈至电源驱动控制单元;电源驱动控制单元接收触发信号和反馈信号,生成驱动信号以控制电源是否供电。本发明应用时若出现负载打弧,能立即停止当前脉冲溅射,下一个脉冲可正常溅射,有效地保护了高功率脉冲磁控溅射电源,并能解决磁控溅射打弧靶面中毒、溅射效率低的问题。

基本信息
专利标题 :
高功率脉冲磁控溅射负载打弧的快速响应电源保护电路
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114438465A
申请号 :
CN202210149016.3
公开(公告)日 :
2022-05-06
申请日 :
2022-02-18
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
李波赵娟张信马勋李洪涛冯元伟黄宇鹏康传会
申请人 :
中国工程物理研究院流体物理研究所
申请人地址 :
四川省绵阳市绵山路64号
代理机构 :
成都四合天行知识产权代理有限公司
代理人 :
郭受刚
优先权 :
CN202210149016.3
主分类号 :
C23C14/35
IPC分类号 :
C23C14/35  C23C14/54  H02H7/10  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的,例如磁控溅射
法律状态
2022-05-24 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/35
申请日 : 20220218
2022-05-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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