一种快速开通的浮岛器件及其制造方法
授权
摘要
本发明涉及半导体技术领域中的一种快速开通的浮岛器件及其制造方法，包括表面层、底层和漂移区，漂移区包括若干组衬底层和若干组浮岛层，每两组所述衬底层之间设置有一组浮岛层，或每两组所述浮岛层之间设置有一组衬底层，在浮岛层中设置重掺杂反型区，具有消除空间电荷对电流的阻碍的优点，缓解了漂移区中有相反类型掺杂区域的浮岛器件在较低的偏压下不能够恢复导通能力的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种快速开通的浮岛器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114220848A
申请号 ：
CN202210162096.6
公开（公告）日 ：
2022-03-22
申请日 ：
2022-02-22
授权号 ：
CN114220848B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
盛况王策王珩宇任娜
申请人 ：
浙江大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市西湖区浙大路38号
代理机构 ：
杭州裕阳联合专利代理有限公司
代理人 ：
张解翠
优先权 ：
CN202210162096.6
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/872 H01L29/739 H01L29/78 H01L21/329 H01L21/331 H01L21/336
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2022-04-08 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20220222
申请日 : 20220222
2022-03-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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