一种垂直MXene阵列极片的制备方法、垂直MXene阵列...
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种垂直MXene阵列极片的制备方法，属于电池技术领域。该制备方法，包括如下步骤：MXene纳米片的制备和垂直MXene阵列极片的制备；将MXene纳米片粉末进行分散，配成分散液，得到MXene分散液；裁取铜箔置于冷冻板上；将MXene分散液置于铜箔上并进行涂布，涂布厚度为50微米‑500微米；待涂布完成后，进行冻干，冻干结束后得到垂直MXene阵列极片。本发明提供的制备方法利用冰模板法将MXene纳米片设计成垂直三维结构，能够有效的利用所有MXene，并且在和Li反应过程中会在垂直MXene表面形成均匀垂直的SEI层，有效减少金属锂和电解液的副反应，作为锂金属负极具有好的性能。
基本信息
专利标题 ：
一种垂直MXene阵列极片的制备方法、垂直MXene阵列极片及应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551811A
申请号 ：
CN202210162214.3
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-02-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
宫勇吉陈乾杨智林姚勇
申请人 ：
北京航空航天大学
申请人地址 ：
北京市海淀区学院路37号
代理机构 ：
北京中睿智恒知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
黄莉
优先权 ：
CN202210162214.3
主分类号 ：
H01M4/1393
IPC分类号 ：
H01M4/1393 H01M4/136 H01M10/052 H01M4/587 B82Y30/00 B82Y40/00
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01M 4/1393
申请日 : 20220222
申请日 : 20220222
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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