太阳能电池及其制备方法、光伏组件
公开
摘要
本发明公开了一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，涉及太阳能电池技术领域，制备方法包括：对N型硅衬底进行清洗和制绒、在硅衬底的正面形成P型扩散层、形成未掺杂的多晶硅层、高温退火在正面形成P型掺杂多晶硅层、进行N型掺杂、去除正面和背面的绕镀以及去除正面的P型掺杂多晶硅层、分别在正面和背面形成第一钝化层和第二钝化层、在第一钝化层的一侧形成第一电极并在第二钝化层的一侧形成第二电极。本申请在正面形成整面的未掺杂的多晶硅层，经过高温退火，利用位于正面的整面多晶硅层实现P型扩散层的掺杂调控及杂质吸收，从而有利于减少P型扩散层的复合电流，达到提高电池效率的目的。
基本信息
专利标题 ：
太阳能电池及其制备方法、光伏组件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613881A
申请号 ：
CN202210173629.0
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-02-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金井升杨楠楠吴晨阳张昕宇
申请人 ：
浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省嘉兴市海宁市袁花镇袁溪路58号
代理机构 ：
北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
于淼
优先权 ：
CN202210173629.0
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L31/068 H01L31/05
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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