ALD方法和包括光子源的设备
公开
摘要
一种沉积方法，包括提供穿过沉积设备的由底部部件(255)和顶部部件(250)形成的水平通道、将前体蒸气(211)给送到通道中以及在衬底穿过沉积设备的途中将来自前体蒸气的材料沉积到衬底上。使衬底在通道内暴露于前体蒸气以及交替的光子暴露时段和遮蔽时段。本发明还涉及一种设备，其包括具有不可穿透区域(251)和非遮蔽区域(262)的光子源(240)。本发明的目的是实现快速原子层沉积和降低的所需的处理温度。
基本信息
专利标题 ：
ALD方法和包括光子源的设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114561631A
申请号 ：
CN202210175783.1
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2015-11-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
T·马利南
申请人 ：
皮考逊公司
申请人地址 ：
芬兰埃斯波
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
酆迅
优先权 ：
CN202210175783.1
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455 C23C16/48 C23C16/54 C23C16/40
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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