一种信息存储材料用前驱体氨基吡啶基Ni(II)化合物
公开
摘要
本发明公开了一种信息存储材料用前驱体氨基吡啶基Ni(II)化合物，属于微电子材料技术领域。本发明提供了一种如式(I)所示的氨基吡啶基Ni(II)化合物，该化合物可以用作化学气相沉积(CVD)/原子层沉积(ALD)的前驱体，通过CVD/ALD工艺制备出Ni基薄膜。本发明信息存储材料用前驱体氨基吡啶基Ni(II)化合物的方法简便，条件温和，大大降低了前驱体材料的合成成本；并且有较好的溶解性，良好的挥发性和热稳定性，良好的成膜性能，可形成良好的CVD Ni薄膜。
基本信息
专利标题 ：
一种信息存储材料用前驱体氨基吡啶基Ni(II)化合物
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114560886A
申请号 ：
CN202210187151.7
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-02-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张羽翔姚川张艳鸽张时星李会刘玲煜王恒阴文玉李雪仃郭鑫瞿轩轩秦娜王潚君
申请人 ：
许昌学院
申请人地址 ：
河南省许昌市魏都区八一路88号
代理机构 ：
哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司
代理人 ：
彭素琴
优先权 ：
CN202210187151.7
主分类号 ：
C07F7/10
IPC分类号 ：
C07F7/10 C23C16/18 C23C16/455
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C07
有机化学
C07F
含除碳、氢、卤素、氧、氮、硫、硒或碲以外的其他元素的无环，碳环或杂环化合物
C07F7/00
含周期表第4或14族元素的化合物
C07F7/02
硅化合物
C07F7/08
具有1个或更多的C-Si键的化合物
C07F7/10
含有氮的
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
