一种背底损耗优化的掺稀土光纤及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种背底损耗优化的掺稀土光纤，包括由内至外依次排列的芯层、过渡包层和纯硅包层，芯层和过渡包层均为多元掺杂的二氧化硅层；芯层中的掺杂材料包括铝、镱、磷、以及一种或多种碱金属元素；碱金属元素的掺杂浓度按其氧化物形式计算，则芯层中掺杂的碱金属氧化物平均浓度为50ppm～1000ppm；过渡包层中的掺杂材料包括氟、磷、以及一种或多种碱金属元素；碱金属元素的掺杂浓度按其氧化物形式计算，则过渡包层中掺杂的碱金属元素平均浓度为500ppm～300ppm；其中，芯层与过渡包层中所掺杂的碱金属元素相同。本发明通过碱金属的掺杂使芯层和过渡包层能形成良好的粘度匹配，减少光纤制备中的缺陷和应力损耗，进一步优化掺稀土光纤的背底损耗。
基本信息
专利标题 ：
一种背底损耗优化的掺稀土光纤及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512885A
申请号 ：
CN202210188847.1
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2022-02-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郑伟汪松雷高清钟力汪亨袁飚曹蓓蓓
申请人 ：
长飞光纤光缆股份有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖高新技术开发区光谷大道9号
代理机构 ：
武汉东喻专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
车丽媛
优先权 ：
CN202210188847.1
主分类号 ：
H01S3/067
IPC分类号 ：
H01S3/067 C23C16/50 C23C16/40 C23C16/24
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 3/067
申请日 : 20220228
申请日 : 20220228
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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