一种内置动态TTL电平跳变沿控制改善EMI的BMC PH...
公开
摘要
本发明公开了一种内置动态TTL电平跳变沿控制改善EMI的BMC PHY装置，涉及数字IC设计领域，该内置动态TTL电平跳变沿控制改善EMI的BMC PHY装置包括：电流镜供电模块，用于通过电流镜控制8个电流是否供电，且8个电流的电流大小两两相差一倍，以此获得256种供电电流；进而获得256种不同的斜率上升的输出电压；电流镜接地模块，用于通过电流镜控制8个电流是否接地，且8个电流的电流大小两两相差一倍，以此获得256种接地电流；与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明立足于通过改量斜率优化芯片级EMI输出的目的，结合BMC PHY芯片自带的数字通信通路(CC线)，通过内置高精度电流镜网络和不同工作模式的抖频算法，极大的优化了芯片EMI性能。
基本信息
专利标题 ：
一种内置动态TTL电平跳变沿控制改善EMI的BMC PHY装置及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114567161A
申请号 ：
CN202210189783.7
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-02-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄昊丹黄飞明励晔梁栋贺洁
申请人 ：
无锡硅动力微电子股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区珠江路51号
代理机构 ：
江阴市轻舟专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹键
优先权 ：
CN202210189783.7
主分类号 ：
H02M1/44
IPC分类号 ：
H02M1/44 H05K9/00
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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