T结构电极背面光纤连接的硅基薄膜铌酸锂调制器及方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种T结构电极背面光纤连接的硅基薄膜铌酸锂调制器及方法。包括层叠的衬底、埋氧层、铌酸锂层和包层,铌酸锂层上形成薄膜铌酸锂光波导,薄膜铌酸锂光波导包含输入输出光栅耦合器、两个分束器和马赫曾德尔结构;马赫曾德尔结构的包层上设T结构金属电极、金属行波信号电极和金属行波接地电极;马赫曾德尔结构两臂间有金属行波信号电极,金属行波信号电极位于马赫曾德尔结构两臂之间,马赫曾德尔结构两臂外设有金属行波接地电极。光栅耦合器的包层上设有金属反射镜,光纤从芯片背面连接光栅耦合器,因此铌酸锂调制器可倒装焊接于芯片底座上,本发明首次在硅基衬底下同时实现了超低功耗,超大电光带宽的薄膜铌酸锂电光调制器。
基本信息
专利标题 :
T结构电极背面光纤连接的硅基薄膜铌酸锂调制器及方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114460684A
申请号 :
CN202210207940.2
公开(公告)日 :
2022-05-10
申请日 :
2022-03-04
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
刘柳陈斌陈耿鑫王迈
申请人 :
浙江大学
申请人地址 :
浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
代理机构 :
杭州求是专利事务所有限公司
代理人 :
林超
优先权 :
CN202210207940.2
主分类号 :
G02B6/12
IPC分类号 :
G02B6/12
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B6/00
光导;包含光导和其他光学元件的装置的结构零部件
G02B6/10
光波导式的
G02B6/12
集成光路类型
法律状态
2022-05-27 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G02B 6/12
申请日 : 20220304
申请日 : 20220304
2022-05-10 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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