一种超宽禁带非晶MgGaO真空紫外光伏探测器
公开
摘要
本发明涉及基本电气元件领域，具体涉及一种超宽禁带非晶MgGaO真空紫外光伏探测器，包括衬底、MgGa2O4薄膜层、低功函电极层和高功函电极层，所述MgGa2O4薄膜层附着在衬底上部，所述低功函电极层附着在所述MgGa2O4薄膜层的上部、所述高功函电极层附着在所述MgGa2O4薄膜层的上部，且位于所述低功函电极层的一侧。本发明的衬底可选择性大，MgGa2O4具有很好的稳定性及抗辐射能力，易于实现大面积、低成本、批量生产。
基本信息
专利标题 ：
一种超宽禁带非晶MgGaO真空紫外光伏探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582994A
申请号 ：
CN202210208272.5
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-03-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
董美林丽君季旭孔壹右叶俊伟马佳升詹翔陈杰鑫李家蝉黄家眉周志雄梁志华
申请人 ：
仲恺农业工程学院
申请人地址 ：
广东省广州市海珠区纺织路东沙街24号
代理机构 ：
重庆莫斯专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
周卫清
优先权 ：
CN202210208272.5
主分类号 ：
H01L31/032
IPC分类号 ：
H01L31/032 H01L31/09 H01L31/20
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
