高能垒镝单离子磁体及其制备方法和应用
公开
摘要
本发明公开了高能垒镝单离子磁体及其制备方法和应用，所述单离子磁体的结构简式为：[Dy(BPA‑TPA)(CH3O)](BPh4)2·CH2Cl2，其中BPA‑TPA为2,6‑双(双(2‑吡啶基甲基)氨基)甲基吡啶。与现有技术相比，本发明具有以下优点：(1)本发明所述镝单离子磁体在零场下就能表现出典型的慢弛豫行为，具有单分子磁体特征，能垒高于1600K，可作为分子基磁性材料在新型高密度信息存储设备(如光盘、硬磁盘等)使用；(2)所述镝单离子磁体在空气中不风化，稳定性好；(3)所述方法工艺安全简单，可控性高，重现性好。
基本信息
专利标题 ：
高能垒镝单离子磁体及其制备方法和应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114560881A
申请号 ：
CN202210208783.7
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-03-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈磊程志杰杨亦谋景蓉赵颖娟蔡星伟郑绍军
申请人 ：
江苏科技大学;镇江睿氟智能科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省镇江市丹徒区长晖路666号
代理机构 ：
南京经纬专利商标代理有限公司
代理人 ：
余俊杰
优先权 ：
CN202210208783.7
主分类号 ：
C07F5/02
IPC分类号 ：
C07F5/02 C07F5/00 H01F1/42 H01F41/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C07
有机化学
C07F
含除碳、氢、卤素、氧、氮、硫、硒或碲以外的其他元素的无环，碳环或杂环化合物
C07F5/00
含周期表第3或13族元素的化合物
C07F5/02
硼化合物
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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