修复电池的方法和装置
公开
摘要
本发明公开了一种修复电池的方法和装置，提供待修复电池；将所述待修复电池放置在电注入组件的上表面上，利用所述电注入组件对所述待修复电池输入第一电流；将光注入组件放置在所述电注入组件靠近所述上表面的一侧，利用所述光注入组件对所述待修复电池照射第一光线；将热注入组件放置在所述电注入组件远离所述上表面的一侧，利用所述热注入组件对所述待修复电池照施加第一加热温度；其中，所述第一光线的光强为2.838×1027CD‑9×2.838×1027CD，所述第一加热温度包括100℃～200℃。同时对待修复电池输入第一电流、照射第一光线以及施加第一加热温度，提升待修复电池的性能。
基本信息
专利标题 ：
修复电池的方法和装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613669A
申请号 ：
CN202210209640.8
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-03-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
洪伦张昕宇金井升张彼克李恒程海燕尹家祥韩向超
申请人 ：
晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请人地址 ：
江西省上饶市经济开发区晶科大道1号
代理机构 ：
北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
于淼
优先权 ：
CN202210209640.8
主分类号 ：
H01L21/26
IPC分类号 ：
H01L21/26 H01L21/324 H01L21/326 H01L31/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/26
用波或粒子辐射轰击的
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
