一种具有模式选择结构的铌酸锂薄膜芯片
实质审查的生效
摘要

本发明公开一种具有模式选择结构的铌酸锂薄膜芯片,包括铌酸锂薄膜基体,铌酸锂薄膜基体上施划出四个区域,其中,第一区域用于成型耦合器,将输入光束分为两束输出光束后输出;第二区域用于成型光栅波导,接收输出光束并将其中的近TM0模式光束改变为近TM1模式光束;第三区域用于成型过滤功能波导,滤除光栅波导输出光束中的近TM1模式光束后得到单偏振光束;第四区域用于成型Y波导,对单偏振光束进行分束后由两个第四传输臂传输,每一第四传输臂中传输的光束经光电调制后输出。本发明提供的芯片结构能进一步缩小Y波导与耦合器连接结构的体积,实现光纤陀螺整体体积的进一步小型化,使光纤陀螺具有小体积、高集成度的优势。

基本信息
专利标题 :
一种具有模式选择结构的铌酸锂薄膜芯片
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114527538A
申请号 :
CN202210225038.3
公开(公告)日 :
2022-05-24
申请日 :
2022-03-09
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
李俊慧王旭阳杨德伟
申请人 :
北京世维通科技股份有限公司
申请人地址 :
北京市海淀区翠微路甲10号1幢3层307
代理机构 :
北京信诺创成知识产权代理有限公司
代理人 :
任万玲
优先权 :
CN202210225038.3
主分类号 :
G02B6/124
IPC分类号 :
G02B6/124  G02B6/125  G02B6/14  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B6/00
光导;包含光导和其他光学元件的装置的结构零部件
G02B6/10
光波导式的
G02B6/12
集成光路类型
G02B6/122
基本光学元件,例如,传导光的光路
G02B6/124
短程透镜或集成光栅
法律状态
2022-06-10 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G02B 6/124
申请日 : 20220309
2022-05-24 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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