本发明属于合金加工技术领域，公开了一种因瓦合金材料的抛光方法，首先采用碳化硼、金属磨盘对因瓦合金进行粗磨，以使因瓦合金的表面粗糙度R≤120nm；再依次减小碳化硼的粒度，继续结合金属磨盘对因瓦合金表面进行细磨，至因瓦合金的表面粗糙度R≤50nm；在金属磨盘上浇筑一层抛光沥青制得抛光盘，以钻石粉为抛光粉结合抛光盘对因瓦合金进行粗抛，至因瓦合金的表面粗糙度R≤20nm；然后减小钻石粉粒度，结合上述抛光盘将因瓦合金的表面粗糙度磨至R≤5nm，然后使用阻尼布材质的抛光垫进行细抛，以去除表面残留的沥青。本发明的抛光方法操作简单，且能够在提升因瓦合金表面亮度的同时使得因瓦合金表面粗糙度降至5nm以下。