本专利介绍了一种还原氧化石墨烯热导率的增强方法。在集成化和小型化电子器件中，热量的积累会严重影响电子设备的运行效率和使用寿命。因此，散热已成为集成电路进一步发展的一个重要方面。还原氧化石墨烯(RGO)由于具有较高的固有热导率，被普遍认为热管理领域的理想散热材料。但是寻找大面积应用可制备可调高热导率的电子器件散热材料仍然十分困难。我们综合利用RGO的可大面积制备和可调高热导率性能与氮化硼(h‑BN)的电绝缘性能，制备出h‑BN/RGO异质结。通过控制还原温度和h‑BN的厚度，h‑BN/RGO异质结的热导率比GO的提高了将近18倍，h‑BN/RGO异质结器件的升高温度比GO的低近16倍。相较于传统的铝、铜和一般二维材料，h‑BN/RGO热导率在91‑1685Wm^‑1K^‑1范围可调。