一种NMOS管高端驱动电路
公开
摘要
一种NMOS管高端驱动电路，所述驱动电路包括：升压模块、滤波模块和电压输出模块；升压模块对输入的第一电压和第二电压进行整合升压得到第三电压，再通过滤波模块对第三电压进行滤波得到第四电压，电压输出模块接收第四电压并将通过稳压后向NMOS管的栅极源极输出第五电压，第一电压也为负载的电源电压，即NMOS管的漏极的电压，由于第五电压大于第一电压，即NMOS管的栅极电压大于第一电压，NMOS管导通时源极电压为第一电压，所以NMOS的栅极电压大于源极电压，从而实现对接在NMOS管高边的负载的驱动，从而实现对接在NMOS管高边的负载的驱动，解决了现有技术中低边驱动导致负载容易误启动该负载的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种NMOS管高端驱动电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114584125A
申请号 ：
CN202210268279.6
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-03-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
白立兰启洪刘超伍艳丽王科发袁宇
申请人 ：
成都肯保捷电子有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成都市双流区西南航空港经济开发区黄甲街道物联大道259号
代理机构 ：
重庆中之信知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
黄妍
优先权 ：
CN202210268279.6
主分类号 ：
H03K17/687
IPC分类号 ：
H03K17/687
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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