PMUT结合MEMS压力传感器的超声换能器单元、阵列及制...
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种PMUT结合MEMS压力传感器的超声换能器单元、阵列及制造方法，把MEMS压力传感器与PMUT超声换能器单片集成，将MEMS压力传感器的输出信号叠加进PMUT的输出信号，提升整体响应，增强超声探头的灵敏度。本发明同时公开所述PMUT结合MEMS压力传感器的超声换能器单元的制造方法，采用有源晶圆键合及减薄技术，将CMOS晶圆与MEMS压力传感器晶圆堆叠，进而制造PMUT‑on‑CMOS，实现垂直互连的三维立体架构，显著提高了芯片集成度。
基本信息
专利标题 ：
PMUT结合MEMS压力传感器的超声换能器单元、阵列及制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114486014A
申请号 ：
CN202210271083.2
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-03-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李晖尹峰
申请人 ：
浙江仙声科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省台州市仙居县白塔镇经济开发区白塔工业集聚区
代理机构 ：
北京德崇智捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
王斌
优先权 ：
CN202210271083.2
主分类号 ：
G01L1/18
IPC分类号 ：
G01L1/18 H01L23/535 B81B7/02 B81C3/00 H01L21/50
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01L
测量力、应力、转矩、功、机械功率、机械效率或流体压力
G01L1/00
力或应力的一般计量
G01L1/18
利用压电电阻材料的性质，即材料的欧姆电阻随作用于材料上的力的大小或方向的改变而变化的性质
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01L 1/18
申请日 : 20220318
申请日 : 20220318
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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