CMUT结合MEMS压力传感器的超声换能器单元、阵列及制...
公开
摘要
本发明公开一种CMUT结合MEMS压力传感器的超声换能器单元、阵列及制造方法，把MEMS压力传感器与CMUT超声换能器单片集成，将MEMS压力传感器的输出信号叠加到CMUT输出信号，提升整体响应，增强超声探头的灵敏度。本发明同时公开所述CMUT结合MEMS压力传感器的超声换能器单元的制造方法，采用有源晶圆键合及减薄技术，将CMOS晶圆与MEMS压力传感器晶圆堆叠，进而制造CMUT‑on‑CMOS，实现垂直互连的三维立体架构，显著提高了芯片集成度。
基本信息
专利标题 ：
CMUT结合MEMS压力传感器的超声换能器单元、阵列及制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114620673A
申请号 ：
CN202210271258.X
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-03-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
尹峰李晖
申请人 ：
浙江仙声科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省台州市仙居县白塔镇经济开发区白塔工业集聚区
代理机构 ：
北京德崇智捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
王斌
优先权 ：
CN202210271258.X
主分类号 ：
B81B7/02
IPC分类号 ：
B81B7/02 B81B7/00 B81C1/00
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B81
微观结构技术
B81B
微观结构的装置或系统，例如微观机械装置
B81B7/00
微观结构系统
B81B7/02
包括功能上有特定关系的不同的电或光学装置，例如微电子—机械系统
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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