一种碳化硅大气等离子体抛光设备及其抛光方法
公开
摘要
一种碳化硅大气等离子体抛光设备及其抛光方法，其中设备包括工作台、离子炬电极、射频电源、载气Ar源、液体乙醇源、含氟活性气体源、辅助气体源和气液混合蒸发器，载气Ar源连接气液混合蒸发器提供氩气，液体乙醇源连接气液混合蒸发器提供乙醇，含氟活性气体源和辅助气体源连接至离子炬电极以分别提供含氟活性气体和辅助气体输送到离子炬电极；离子炬电极的外部罩设有离子炬壳体，离子炬电极与离子炬壳体之间的空间形成气体反应室，工作台上并位于气体反应室的下部放置待抛光的碳化硅陶瓷工件。本发明使用氩气代替氦气作为大气压等离子体抛光的载气，解决目前天然气资源枯竭、抛光成本高昂的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种碳化硅大气等离子体抛光设备及其抛光方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114619296A
申请号 ：
CN202210297233.7
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-03-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴明阳梁奉爽刘立飞李录彬张峰
申请人 ：
哈尔滨理工大学
申请人地址 ：
黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号
代理机构 ：
西安杜诺匠心专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
苏雪雪
优先权 ：
CN202210297233.7
主分类号 ：
B24B1/00
IPC分类号 ：
B24B1/00 C04B41/80
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B24
磨削；抛光
B24B
用于磨削或抛光的机床、装置或工艺（用电蚀入B23H；磨料或有关喷射入B24C；电解浸蚀或电解抛光入C25F3/00；磨具磨损表面的修理或调节；磨削，抛光剂或研磨剂的进给
B24B1/00
磨削或抛光的工艺；与此工艺有关的所用辅助设备
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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