一种原子层沉积构筑富锂正极材料表面双包覆层的方法
公开
摘要
一种原子层沉积构筑富锂正极材料表面双包覆层的方法，属于电化学储能材料技术领域。该方法通过原子层沉积技术在富锂正极材料表面沉积均匀的金属氧化物涂层。通过沉积参数调节包覆层的厚度，实现原子层级别的均匀可控的包覆层。将上述正极材料进行热处理，通过热处理可以实现金属元素均匀可控掺杂，形成微掺杂层，达到双包覆层构筑的效果。本发明涉及给富锂正极材料提供了一种双包覆层构筑的方法，对提升正极材料循环稳定性和抑制与电解质的界面副反应有重要意义。
基本信息
专利标题 ：
一种原子层沉积构筑富锂正极材料表面双包覆层的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613993A
申请号 ：
CN202210311513.9
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-03-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郭现伟茆凌凯尉海军
申请人 ：
北京工业大学
申请人地址 ：
北京市朝阳区平乐园100号
代理机构 ：
北京思海天达知识产权代理有限公司
代理人 ：
张立改
优先权 ：
CN202210311513.9
主分类号 ：
H01M4/525
IPC分类号 ：
H01M4/525 H01M4/505 H01M4/485 H01M4/48 H01M4/62 C23C16/455 C23C16/40
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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