富锂高掺镁铌酸锂晶体
被视为撤回的申请
摘要
铌酸锂晶体是一种光学材料，具有良好的电光性能和非线性光学性能，在激光方面可以制作光调制器、Q开关、光倍频器等器件。 但是，在较低功率密度激光照射下，铌酸锂晶体会产生局部光致折射率的变化——光折变，限制了它的应用。 本发明的特征在于通过控制投料配比的方法实现了富锂高掺镁铌酸优质晶体的制备，得到了一个最佳投料比，晶体性能很好。
基本信息
专利标题 ：
富锂高掺镁铌酸锂晶体
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87104070A
申请号 ：
CN87104070
公开（公告）日 ：
1988-12-14
申请日 ：
1987-06-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
温金珂唐燕生吴仲康王华馥
申请人 ：
南开大学
申请人地址 ：
天津市上津路94号
代理机构 ：
南开大学专利事务所
代理人 ：
解松凡
优先权 ：
CN87104070
主分类号 ：
C30B29/30
IPC分类号 ：
C30B29/30
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/16
氧化物
C30B29/22
复合氧化物
C30B29/30
铌酸盐；钒酸盐；钽酸盐
法律状态
1990-09-05 ：
被视为撤回的申请
1988-12-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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