一种介质层辅助的厚片周期极化铁电晶体制备方法
授权
摘要
本发明公开了一种基于介质层辅助的厚片周期极化铁电晶体制备方法，其中提出在周期极化铁电晶体材料的抛光表面首先制备介质层。该介质层是各向同性的透明材料，然后对该透明介质层进行抛光。由于介质层的存在，可以得到特别平整的表面，有利于形成高质量的键合晶体。介质层的厚度相对晶体厚度来说几乎可以忽略不计，不会对晶体的性能尤其是非线性光学性能造成影响。
基本信息
专利标题 ：
一种介质层辅助的厚片周期极化铁电晶体制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111962155A
申请号 ：
CN202010784697.1
公开（公告）日 ：
2020-11-20
申请日 ：
2020-08-06
授权号 ：
CN111962155B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
王东周桑元华孙德辉刘齐鲁王孚雷周飞刘宏
申请人 ：
济南量子技术研究院;山东大学;济南大学
申请人地址 ：
山东省济南市高新区新泺大街1768号
代理机构 ：
北京云嘉湃富知识产权代理有限公司
代理人 ：
李思霖
优先权 ：
CN202010784697.1
主分类号 ：
C30B30/02
IPC分类号 ：
C30B30/02 C30B29/30
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B30/00
利用电场、磁场、波能或其他特定物理条件的作用为特征来制备单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B30/02
用电场的，例如电解法
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2020-12-08 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 30/02
申请日 : 20200806
申请日 : 20200806
2020-11-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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