钽酸锂单晶基板的制造方法
公开
摘要
本发明提供钽酸锂单晶基板的制造方法，其即便在钽酸锂单晶基板的热处理中反复使用碳酸锂粉末，也能够抑制由钽酸锂单晶基板的还原不足导致的体积电阻率的增加。本发明是体积电阻率为1×1010Ω・cm以上且小于1×1012Ω・cm的钽酸锂单晶基板的制造方法，其包括：将体积电阻率为1×1012Ω・cm以上且单晶域结构的钽酸锂单晶基板填埋至BET比表面积为0.13m2/g以上的碳酸锂粉末中，并且，在常压下、350℃以上且居里温度以下的温度下进行热处理的工序，碳酸锂粉末是在常压下、350℃以上且居里温度以下的温度下的钽酸锂单晶基板的热处理时用于填埋钽酸锂单晶基板的使用过的碳酸锂粉末，进行热处理的工序中，开始热处理时，在非活性气体与还原性气体的混合气体气氛中进行热处理，在混合气体气氛中进行热处理后，在非活性气体的单一气体气氛中进行热处理。
基本信息
专利标题 ：
钽酸锂单晶基板的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114318538A
申请号 ：
CN202111121680.9
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-09-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
阿部淳加藤公二
申请人 ：
信越化学工业株式会社
申请人地址 ：
日本东京都千代田区大手町２丁目６番１号
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
马倩
优先权 ：
CN202111121680.9
主分类号 ：
C30B29/30
IPC分类号 ：
C30B29/30 C30B33/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/16
氧化物
C30B29/22
复合氧化物
C30B29/30
铌酸盐；钒酸盐；钽酸盐
法律状态
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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