高灵敏度在片集成伪参比栅极的pH传感器及其制备方法
公开
摘要
本发明提供一种高灵敏度在片集成伪参比栅极的pH传感器及其制备方法，pH传感器包括：硅基衬底；位于硅基衬底表面的介电层；源极电极与漏极电极；CNT沟道层；伪参比栅极，位于介电层远离硅基衬底一侧；钝化层，被设置包裹在源极电极与漏极电极的表面，使得在pH传感器在测量液体pH值时，仅CNT沟道层和伪参比栅极暴露在液体环境中。相比传统pH传感器体积庞大的参比电极设计，本发明在片集成伪参比栅极的pH传感器，基于尺寸效应可实现pH传感器的小型化、易于集成的设计，实现便携、实时的pH检测；同时基于尺寸效应可突破能斯特极限，实现高灵敏度设计，从而同时解决传统pH传感器的灵敏度以及难以集成的问题。
基本信息
专利标题 ：
高灵敏度在片集成伪参比栅极的pH传感器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114624302A
申请号 ：
CN202210326643.X
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-03-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张宇燕肖梦梦高云飞
申请人 ：
湘潭大学;北京元芯碳基集成电路研究院
申请人地址 ：
湖南省湘潭市雨湖区羊牯塘街道湘潭大学先进传感与信息技术创新研究院
代理机构 ：
南京行高知识产权代理有限公司
代理人 ：
王培松
优先权 ：
CN202210326643.X
主分类号 ：
G01N27/30
IPC分类号 ：
G01N27/30
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N27/30
•••电极，例如测试电极；半电池
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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