具有平面组合辅助电极结构的SOI LIGBT器件及其制备...
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摘要
本发明涉及一种具有平面组合辅助电极结构的SOI LIGBT器件及其制备方法，以缓解SOI LIGBT器件难以兼顾较高击穿电压和较低的正向导通压降、比导通电阻的技术问题。该器件包括依次层叠的P型半导体材料衬底、SOI基及N型漂移区，N型漂移区一侧至另一侧依次形成有发射区、P型基区及N型缓冲层；P型基区至N型缓冲层之间依次形成多个递增的辅助电极结构；相邻两个辅助氧化层的下方设置有P柱；辅助电极结构及与辅助电极结构抵接的部分P柱形成平面组合辅助电极。该方法包括在SOI基上方掺杂形成N型漂移区和P型基区；在N型漂移区中形成P柱和N型缓冲层；P型基区与N型缓冲层之间形成辅助电极结构。
基本信息
专利标题 ：
具有平面组合辅助电极结构的SOI LIGBT器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597259A
申请号 ：
CN202210337017.0
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-03-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
段宝兴唐春萍王彦东杨银堂
申请人 ：
西安电子科技大学
申请人地址 ：
陕西省西安市太白南路2号
代理机构 ：
西安智邦专利商标代理有限公司
代理人 ：
王少文
优先权 ：
CN202210337017.0
主分类号 ：
H01L29/739
IPC分类号 ：
H01L29/739 H01L29/40 H01L21/331
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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