一种具有平面组合辅助电极结构的LDMOS器件及其制备方法
公开
摘要
本发明涉及横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制备方法，具体涉及一种具有平面组合辅助电极结构的LDMOS器件及其制备方法，用于缓解现有LDMOS器件无法同时对击穿电压和比导通电阻进行优化的不足之处。该具有平面组合辅助电极结构的LDMOS器件，其P型衬底上部设置有位于栅氧化层和漏电极之间的平面组合辅助电极结构，平面组合辅助电极结构包括多个辅助氧化层、多个辅助电极和至少一个N环。本发明能够降低LDMOS器件耐压对漂移区浓度和长度的依赖，使器件能够在耐压没有明显改变的同时大幅降低比导通电阻，从而达到优化LDMOS器件击穿电压与比导通电阻矛盾的作用。同时，本发明还提供一种具有平面组合辅助电极结构的LDMOS器件的制备方法。
基本信息
专利标题 ：
一种具有平面组合辅助电极结构的LDMOS器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613859A
申请号 ：
CN202210344522.8
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-03-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
段宝兴唐春萍周子煜王彦东杨银堂
申请人 ：
西安电子科技大学
申请人地址 ：
陕西省西安市太白南路2号
代理机构 ：
西安智邦专利商标代理有限公司
代理人 ：
王少文
优先权 ：
CN202210344522.8
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/40 H01L21/336
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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