籽晶的提拉机构及其使用方法
公开
摘要
本发明公开了一种籽晶的提拉机构及其使用方法，所述提拉机构包括：籽晶夹，籽晶夹用于固定籽晶；软轴，软轴下端连接籽晶夹，软轴构造成能够牵引籽晶夹旋转和升降；限位组件，限位组件为一个或环绕籽晶夹分布的多个，每个限位组件位于籽晶夹的水平一侧，限位组件构造成能够升降和绕软轴的旋转轴线旋转；其中，限位组件包括限位件，限位件具有可切换的伸出位置和回缩位置，在伸出位置限位件与籽晶夹之间的距离为第一距离，在回缩位置限位件与籽晶夹之间的距离为第二距离，第二距离大于第一距离，限位组件能够在籽晶夹晃动时将限位件伸至伸出位置。本发明的提拉机构，能够快速稳定籽晶夹的晃动，减少对晶棒生长的影响。
基本信息
专利标题 ：
籽晶的提拉机构及其使用方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114574952A
申请号 ：
CN202210346375.8
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-03-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈俊宏
申请人 ：
徐州鑫晶半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省徐州市经济技术开发区鑫芯路1号
代理机构 ：
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
徐章伟
优先权 ：
CN202210346375.8
主分类号 ：
C30B15/30
IPC分类号 ：
C30B15/30 C30B15/32
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/30
转动或移动熔体或晶体的机构
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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