一种主动驱动电路及并联SiC MOSFET功率组件
公开
摘要
本发明公开的主动驱动电路，设于并联连接的主SiC MOSFET与从SiC MOSFET之间，包括一个为主SiC MOSFET和至少一个从SiC MOSFET，主动驱动电路包括：di/dt检测电路Ⅰ、di/dt检测电路Ⅱ、压控拉电流源电路及压控灌电流源电路，其中，di/dt检测电路Ⅰ，检测主SiC MOSFET的源极杂散电感Lsl两端的电压Vsl；di/dt检测电路Ⅱ，检测从SiC MOSFET的源极杂散电感Lsn两端的电压Vsn；在电压Vsl大于电压Vsn时，压控灌电流源电路从从SiC MOSFET的栅极注入电流，以使从SiC MOSFET的漏极电流逼近主SiC MOSFET漏极电流；在电压Vsl小于电压Vsn时，压控拉电流源电路从从SiC MOSFET的栅极抽取电流，以使从SiC MOSFET的漏极电流逼近主SiC MOSFET漏极电流。本发明提出的主动驱动电路简单，动态响应快，并且对解决多个并联SiC MOSFET动态不均流问题具有较好的效果。
基本信息
专利标题 ：
一种主动驱动电路及并联SiC MOSFET功率组件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114583931A
申请号 ：
CN202210349484.5
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-04-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李冬黎倪炜江李倩
申请人 ：
安徽芯塔电子科技有限公司
申请人地址 ：
安徽省芜湖市弋江区芜湖高新技术产业开发区服务外包产业园3号楼1804
代理机构 ：
芜湖安汇知识产权代理有限公司
代理人 ：
钟雪
优先权 ：
CN202210349484.5
主分类号 ：
H02M1/088
IPC分类号 ：
H02M1/088 H02M1/36
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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