一种双异质结GaN RC-HEMT器件
公开
摘要
本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种双异质结GaN RC‑HEMT器件。本发明的主要特征在于：在HEMT栅极结构和漏极之间的势垒层(4)表面有顶部GaN层(9)，GaN沟道层(3)、势垒层(4)和顶部GaN层(9)形成双异质结，且在所述栅极结构与顶部GaN层(9)之间的势垒层(4)之上集成了肖特基续流二极管结构，用于HEMT器件反向续流。RC‑HEMT反向续流时，集成肖特基二极管借助2DEG形成电流路径，续流压降低；RC‑HEMT正向导通时，集成肖特基势垒二极管(SBD)处于关断状态，利用二维电子气(2DEG)传输电流，具有较低的导通电阻；RC‑HEMT正向阻断时，GaN沟道层(3)/势垒层(4)和势垒层(4)/顶部GaN层(9)形成极化结改善电场集中效应，调制器件漂移区电场，提高器件击穿电压。
基本信息
专利标题 ：
一种双异质结GaN RC-HEMT器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613856A
申请号 ：
CN202210377549.7
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-04-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
魏杰贾艳江孙涛郗路凡邓思宇赵智家张成廖德尊罗小蓉
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新西区西源大道2006号
代理机构 ：
成都点睛专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙一峰
优先权 ：
CN202210377549.7
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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