一种磁控溅射氧化锆掺杂的羟基磷灰石涂层及其应用
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种磁控溅射氧化锆掺杂的羟基磷灰石涂层及其应用。本发明以羟基磷灰石靶材和二氧化锆靶材为溅射源，在医用镁合金衬底表面共溅射沉积氧化锆掺杂的羟基磷灰石涂层，通过调节羟基磷灰石靶材和二氧化锆靶材的溅射功率来调控复合涂层中二氧化锆的含量。研究表明，掺入少量的二氧化锆可以显著提高磁控溅射羟基磷灰石涂层的耐腐蚀性能，与此同时，还能够保证羟基磷灰石涂层良好的生物相容性。当二氧化锆掺入量多大时，可能导致羟基磷灰石涂层的生物相容性急剧下降。
基本信息
专利标题 ：
一种磁控溅射氧化锆掺杂的羟基磷灰石涂层及其应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114525488A
申请号 ：
CN202210418156.6
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2022-04-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
符劲飞陈鹏唐举玉吴攀峰朱剑熹
申请人 ：
中南大学湘雅医院
申请人地址 ：
湖南省长沙市开福区湘雅路87号
代理机构 ：
长沙智勤知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曾芳琴
优先权 ：
CN202210418156.6
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C14/06 C23C14/58 A61L27/04 A61L27/32 A61L27/30 A61L27/50
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2022-06-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/35
申请日 : 20220421
申请日 : 20220421
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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