一种晶圆吸附状态的检测方法、检测装置及控制器
公开
摘要
本申请提供一种晶圆吸附状态的检测方法、检测装置及控制器，首先，确定静电吸附装置上吸附有晶圆；静电吸附装置包括电介质和位于电介质内部的下电极，下电极用于连接直流电源，静电吸附装置上方设置有与下电极相对的上电极，上电极用于连接射频电源，上电极和晶圆之间形成有等离子体，以导通上下电极之间的回路；然后，检测静电吸附装置与直流电源之间的电流；若电流变化超过第一阈值，说明回路中晶圆下表面与电介质的上表面之间形成的电容不稳定，二者之间的距离发生较大变化，晶圆没有平稳地吸附在静电吸附装置上，则确定晶圆出现脱吸附状态。在检测过程中没有利用其它设备去接触晶圆，不会造成晶圆碎裂。
基本信息
专利标题 ：
一种晶圆吸附状态的检测方法、检测装置及控制器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582763A
申请号 ：
CN202210484432.9
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-05-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
宋宇张赛谦刘婧婧李光凯
申请人 ：
拓荆科技（北京）有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区经济技术开发区宏达北路16号6号楼2层217
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭化雨
优先权 ：
CN202210484432.9
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/683
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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