一种X波段带通的吸透一体频率选择表面结构
公开
摘要
本发明公开了一种X波段带通的吸透一体频率选择表面结构，属于通信技术领域。包括电阻损耗层、空气层和带通FSS传输层，所述电阻损耗层包括设置在介质基底层表面的六边形金属环贴片，该六边形金属环贴片的每个侧边的中心都向内凹进形成S型环电感器，在六边形金属环贴片的顶点处丝网印刷有一层钌电阻浆料，所述钌电阻浆料与六边形金属环贴片一同构成串联RLC电路，并同时与S型环电感器形成的等效LC并联谐振回路再串联。本发明的吸透一体频率选择表面结构能够在X波段实现宽带带通，并且在3‑11GHz频段实现较低的电磁波反射率。
基本信息
专利标题 ：
一种X波段带通的吸透一体频率选择表面结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114614266A
申请号 ：
CN202210508086.3
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-05-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄鑫沈伦玉王东俊刘国栋
申请人 ：
成都飞机工业（集团）有限责任公司
申请人地址 ：
四川省成都市青羊区黄田坝纬一路88号
代理机构 ：
成都天嘉专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
程余
优先权 ：
CN202210508086.3
主分类号 ：
H01Q15/00
IPC分类号 ：
H01Q15/00
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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