DDR双列直插式存储模块、存储系统及其操作方法
公开
摘要
本发明公开了一种利用数据缓存器纠错的DDR双列直插式存储模块、存储系统及其操作方法，DDR双列直插式存储模块包括第一信道，第一信道包括第一组DRAM颗粒和与第一组DRAM颗粒对应的数据缓存器；数据缓存器用于在写操作中将外部数据发送给第一组DRAM颗粒，以及在读操作中获取第一组DRAM颗粒的数据；数据缓存器还用于在写操作和读操作中进行ECC纠错。本发明在内存条上就能实现高性能的检错和纠错，能够极大地降低整个内存条的误码率。
基本信息
专利标题 ：
DDR双列直插式存储模块、存储系统及其操作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114627954A
申请号 ：
CN202210526445.8
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-05-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张凉黄明
申请人 ：
芯动微电子科技（武汉）有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市江夏区光谷智慧园13A
代理机构 ：
上海熠涧知识产权代理有限公司
代理人 ：
林高锋
优先权 ：
CN202210526445.8
主分类号 ：
G11C29/42
IPC分类号 ：
G11C29/42 G11C29/12
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C29/00
存储器正确运行的校验；备用或离线操作期间测试存储器
G11C29/04
损坏存储元件的检测或定位
G11C29/08
功能测试，例如，在刷新、通电自检或分布型测试期间的测试
G11C29/12
用于测试的内置装置，例如，内置的自检装置
G11C29/38
响应验证装置
G11C29/42
用纠错码或奇偶校验检查
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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